Tecnologías clave del núcleo de los materiales de extensión

La innovación propone la ultravioleta de alta calidad LED Defectos de materiales epitaxiales y tecnología de control de estrés, Lograr la ultravioleta LED La densidad de dislocación del material se reduce a 3×10⁸ cm⁻², Alcanzar el nivel avanzado internacional

Control de densidad de dislocaciones

La densidad de dislocación se reduce a 3×10⁸ cm⁻², Alcanzar el nivel avanzado internacional

Liberación efectiva del estrés

Nanográficos piramidales innovadores NPSS Tecnología de curación del Crecimiento epitaxial del sustrato

Reconocimiento de ganadores del Premio Nobel

2014 Ganador del Premio Nobel de física Nakamura Muy valorado

Innovación en ultravioleta de alta calidad LED Defectos de materiales epitaxiales y tecnología de control de estrés

A través de un sustrato gráfico, Control de espesor, Técnica de fusión de dislocaciones y liberación de tensión, Lograr una mejora innovadora en la calidad de los materiales de extensión

Morfología de la superficie del sustrato gráfico

Mediante microscopía de fuerza atómica (AFM) Superficie del sustrato gráfico observado, Una estructura piramidal o cónica que presenta una disposición regular, Distribución uniforme, Proporcionar una plantilla ideal para el crecimiento de la Epitaxia.

Características superficiales
Matriz de microestructura piramidal
Disposición de la cuadrícula regular
3D Control de la morfología de la superficie

Espesor superior 10µm

Microscopio electrónico de barrido (SEM) Visualización de imágenes de sección transversal AlN Crecimiento de capas en sustratos de zafiro, Espesor superior 10µm, Contiene agujeros de aire que se extienden verticalmente.

Nivel de estructura del material
AlN Capa Espesor " 10µm
Agujeros de aire Extensión vertical
Sustrato de zafiro h = 6. 6µm

Aniquilación de flexión durante la fusión de dislocaciones

Microscopía electrónica de transmisión (TEM) Las imágenes muestran la flexión de defectos de dislocación en la capa epitaxial durante el crecimiento, Proceso de fusión y aniquilación, Reducir efectivamente la densidad de defectos.

Mecanismo de control de dislocaciones
Flexión de dislocaciones
Fusión de dislocaciones
Aniquilación de dislocaciones

Liberación efectiva del estrés

Mapeo espacial invertido (RSM) El análisis muestra el Estado de estrés y la calidad cristalina en el material, Lograr un crecimiento epitaxial de alta calidad a través de una tecnología eficaz de Liberación de estrés.

Parámetros de análisis de estrés
Qx×10000 (rlu) 2810-2880
Qz×10000 (rlu) 7715-7750
Estado de estrés Liberación efectiva

Logros tecnológicos y propiedad intelectual

Los logros innovadores basados en la tecnología de extensión son reconocidos por los ganadores del Premio nobel, Y se aplicó con éxito a la ingeniería de exploración por satélite

Patentes básicas

Hoja epitaxial de material de nitruro de aluminio de banda ultra ancha y su método de preparación
Número de patente: ZL201811380251. 1
Una especie de ultravioleta profunda LED Sustrato de Epitaxia heterogénea y sus métodos de preparación y aplicaciones
Número de patente: ZL202110397975. 2

Tesis representativas

Applied Physics Letters
2019, 114. 4
Optics Express
2018, 26. 2: 680-686

Resultados de la aplicación

"Ocean One"Ingeniería de exploración por satélite
Monitoreo en línea del medio marino
AlGaN Aplicación de materiales
Se aplica con éxito a los sistemas de satélites

Evaluación de los ganadores del Premio Nobel

2014 Ganador del Premio Nobel de física Nakamura

"Se espera que esta innovación tecnológica logre una baja densidad de errores bajo nuevos métodos de crecimiento y técnicas de recocido AlN/NPSS Ser una realidad"

Resumen de las ventajas tecnológicas

Nanográficos piramidales innovadores NPSS Tecnología de sustrato
Liberación efectiva del estrés y promoción del control incorrecto de la posición
La densidad de dislocación se reduce a 3×10⁸ cm⁻²
Alcanzar el nivel avanzado internacional
Aplicado con éxito a la ingeniería de exploración por satélite
Los ganadores del Premio Nobel lo valoran muy bien
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